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C60-20S 離子源系統(tǒng)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

C60-20S 離子源系統(tǒng)雖然所有離子束都會(huì)濺射或蝕刻，但我們的一些系統(tǒng)的表面是專為高效和快速濺射而設(shè)計(jì)的。濺射光束有三個(gè)特點(diǎn)：高電流、大光斑尺寸和寬視場(chǎng)。這些特性的結(jié)合意味著它們可以在大面積上盡快輸送大劑量的離子，以優(yōu)化蝕刻速率。

產(chǎn)品型號(hào)：C60 20S
更新時(shí)間：2024-09-12
廠商性質(zhì)：代理商
訪問量：1599
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簡(jiǎn)介：

C60-20S 離子源系統(tǒng)是一種高性能離子束，設(shè)計(jì)用于濺射表面，具有較小的損傷和減少的沿周濺射效應(yīng)。 

C60-20S 離子源系統(tǒng)在高達(dá)20 kV的電壓下工作，可有效地濺射材料，且損傷較小，無需重新沉積碳。

C60是XPS、AES和SIMS的理想升級(jí)組件，可在多種材料上均勻?yàn)R射。

       

 

主要參數(shù)：



主要應(yīng)用                濺射                
光斑尺寸                100 µm                
掃描范圍                4 x 4 mm                
能耗范圍                5 – 20 kV                
電流范圍                50 nA                
法蘭至機(jī)頭長(zhǎng)度                142 mm                
推薦工作距離                50 mm                
電源裝置                3U x 19’’ rack mountable unit    
電源要求                110-240VAC 13A 50/60Hz                
軟件要求                        PC running Windows 10 or later                   
集成法蘭規(guī)格                NW 63 CF                














特點(diǎn):  

◇  電流密度高，蝕刻速度更快；

◇  與單原子束相比，可減少化學(xué)損傷；

◇  不同材料和晶體取向的濺射率一致；

◇  閘閥，便于快速維修；

◇  源壽命長(zhǎng)；



應(yīng)用領(lǐng)域： 

◇  聚合物的高速、低化學(xué)損傷蝕刻；

◇  C60離子濺射的速度比單原子束(包括氬和氙)快50倍，同時(shí) 對(duì)底層材料造成的損害要小得多；

◇  下圖比較了15kev的C60濺射產(chǎn)率與15kev金、氙鎵和氬的TRIM數(shù)據(jù)。在相反的例子中，用C60和單原子氬離子束濺 射清洗PTFE薄膜；

◇  雖然兩種離子束都去除了表面污染，但只有C60離子束的表 面化學(xué)性質(zhì)沒有發(fā)生變化；

         



               


        

   



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